Керамічні мішені для напилення

• Мішень для розпилення 4N ZrO2 із задньою пластиною Cu

  Наші мішені для розпилення з діоксиду цирконію з опорними пластинами виготовляються з високо-чистого діоксиду цирконію, надійно з’єднаного з металевою опорною пластиною; така конструкція...

  Більш
• Мішень для напилення ZrC із задньою пластиною Cu

  Наші мішені для напилення з карбіду цирконію (ZrC) із мідними опорними пластинами мають міцний зв’язок між -цірковим матеріалом мішені високої чистоти та мідною підкладкою. Така конструкція...

  Більш
• Мішень для розпилення ZrC, легована 5 ат

  Точне допування карбіду цирконію 5 атомними відсотками танталу значно підвищує стійкість цільового матеріалу до високих-температур, стійкість до термічного удару та стійкість до корозії. Завдяки...

  Більш
• 4N IGZO Sputtering Target

  Наші мішені для розпилення 4N IGZO забезпечують більш стабільну та ефективну роботу розпилення. Спеціалізовані для-дисплеїв високого класу та напівпровідників, вони сприяють реалізації...

  Більш
• Мішень 4N HfO2 з мідною пластиною

  Мішень для розпилення 4N HfO₂ з мідною підкладкою використовує матеріал оксиду гафнію чистотою 99,99%. Інтегрований з мідною підкладкою, він забезпечує чудову теплопровідність і ідеально підходить...

  Більш
• 4N HfO2 з додаванням 2% Ti мішені

  Мішень для розпилення HfO₂, легована 2% Ti-, виготовляється з використанням підкладки з оксиду гафнію високої{2}}чистості, точно легованої 2% титану. Характеризуючись однорідністю складу та...

  Більш
• Мішень для розпилення 4N HfO2

  Мішень для напилення з діоксиду гафнію високої чистоти 4N- (чистота 99,99%) — підходить для застосування в оптичних покриттях, напівпровідниках і прецизійній електроніці. Характеризується високою...

  Більш
• Мішень для розпилення B4C

  Завдяки використанню високо{0}}чистого карбіду бору цей продукт має виняткову твердість і міцну термічну стабільність, що робить його ідеальним для застосування у виробництві напівпровідників,...

  Більш
• Індивідуальні частинки HfC

  Опис індивідуальних частинок HfC Частинки HfC зазвичай синтезуються шляхом взаємодії діоксиду гафнію (HfO₂) з вуглецем при високих температурах (1900–2300 градусів) в інертній або відновній...

  Більш
• Мішень для розпилення оксиду олова (SnO2).

  Мішень з оксиду олова (SnO2) є важливим неорганічним неметалічним матеріалом. Завдяки своїм унікальним фізико-хімічним властивостям він відіграє важливу роль у багатьох галузях високих технологій....

  Більш
• Мішень для розпилення оксиду танталу (Ta2O5).

  Мішень для розпилення оксиду танталу можна використовувати в напівпровідникових, хімічних осадженнях з парової фази (CVD), фізичних осадженнях з парової фази (PVD) і оптичних додатках. Ми є...

  Більш
• Мішень для напилення з оксиду титану (TiO2).

  Діоксид титану (TiO2) є найпоширенішим білим пігментом, наприклад, у фарбах. Він має високу яскравість і дуже високий показник заломлення (2,609 для рутилу).

  Більш