Матеріал покриття PVD

• Мішень для розпилення 4N ZrO2 із задньою пластиною Cu

  Наші мішені для розпилення з діоксиду цирконію з опорними пластинами виготовляються з високо-чистого діоксиду цирконію, надійно з’єднаного з металевою опорною пластиною; така конструкція...

  Більш
• Мішень для напилення ZrC із задньою пластиною Cu

  Наші мішені для напилення з карбіду цирконію (ZrC) із мідними опорними пластинами мають міцний зв’язок між -цірковим матеріалом мішені високої чистоти та мідною підкладкою. Така конструкція...

  Більш
• Мішень для розпилення ZrC, легована 5 ат

  Точне допування карбіду цирконію 5 атомними відсотками танталу значно підвищує стійкість цільового матеріалу до високих-температур, стійкість до термічного удару та стійкість до корозії. Завдяки...

  Більш
• 4N IGZO Sputtering Target

  Наші мішені для розпилення 4N IGZO забезпечують більш стабільну та ефективну роботу розпилення. Спеціалізовані для-дисплеїв високого класу та напівпровідників, вони сприяють реалізації...

  Більш
• Мішень 4N HfO2 з мідною пластиною

  Мішень для розпилення 4N HfO₂ з мідною підкладкою використовує матеріал оксиду гафнію чистотою 99,99%. Інтегрований з мідною підкладкою, він забезпечує чудову теплопровідність і ідеально підходить...

  Більш
• 4N HfO2 з додаванням 2% Ti мішені

  Мішень для розпилення HfO₂, легована 2% Ti-, виготовляється з використанням підкладки з оксиду гафнію високої{2}}чистості, точно легованої 2% титану. Характеризуючись однорідністю складу та...

  Більш
• Мішень для розпилення 4N HfO2

  Мішень для напилення з діоксиду гафнію високої чистоти 4N- (чистота 99,99%) — підходить для застосування в оптичних покриттях, напівпровідниках і прецизійній електроніці. Характеризується високою...

  Більш
• Настроювана мішень з вуглецевого напилення 4N

  Наші-вуглецеві мішені високої чистоти 4N виготовлені з вуглецевого матеріалу на 99,99% з низьким рівнем домішок, що робить їх ідеальними для застосування в напівпровідниках, оптичних тонких...

  Більш
• Мішень для розпилення B4C

  Завдяки використанню високо{0}}чистого карбіду бору цей продукт має виняткову твердість і міцну термічну стабільність, що робить його ідеальним для застосування у виробництві напівпровідників,...

  Більш
• Спеціальні мішені для розпилення бору

  Ми пропонуємо високо{0}}чисті мішені з бору, які ідеально підходять для процесів виготовлення напівпровідників і покриттів. Ми підтримуємо індивідуальне виготовлення на основі технічних креслень,...

  Більш
• Індивідуальна кругла вольфрамова мішень 3N5

  Ми пропонуємо -зроблені на замовлення круглі вольфрамові мішені з чистотою 3N5 (99,95%). Виготовлені методом порошкової металургії, вони мають однорідну мікроструктуру, високу щільність, не...

  Більш
• Індивідуальна високочиста високочастотна мішень для напил...

  Ми пропонуємо-виготовлені на замовлення високочисті-гафнієві мішені для розпилення з чистотою понад 99,9%, що мають однорідну щільність і тонку мікроструктуру. Спеціально розроблені для...

  Більш