Опис продукції
Іонна імплантація є дуже важливою технологією в сучасному виробництві мікросхем, яка використовує іонні імплантатори для легування напівпровідників, тобто використання вольфрам-торієвих дротів як катодів для випромінювання електронів для бомбардування молекул газу, що містять специфічні домішкові елементи, в результаті чого іонізовані специфічні домішкові атоми прискорюються електростатичним розрядом. поля на поверхню монокристалічних пластин кремнію та в напівпровідник, змінюючи провідні властивості та зрештою утворюючи транзисторні структури. Іонний інжектор складається з газової системи, вакуумної системи, системи двигуна, системи керування та системи променів.
Система пучка містить джерело іонів, екстракційний електрод, мас-спектрометр, внутрішній прискорювач, систему нейтралізації заряду, обробник пластин і блокувальник пучка. Вольфрамові пристрої, виготовлені з товстих (2~45 мм) пластин вольфраму, в основному використовуються в системі джерела іонів напівпровідникових іонних імплантаторів для обмеження та екранування іонізуючих променів і є ключовими компонентами системи джерела іонів.
особливості
Чистота молібденового хвилеводу вище 99,95%;
Його щільність вище 10,2 г/см³;
Точна механічна обробка та відмінна шорсткість поверхні;
Молібденовий хвилевід має сильну зносостійкість.
Галузь застосування
Промисловість напівпровідникових матеріалів
Індустрія морського транспорту
Оптична та оптико-електронна промисловість
Аерокосмічна промисловість
Популярні Мітки: вольфрамові та молібденові деталі для напівпровідникової промисловості, Китай вольфрамові та молібденові деталі для напівпровідникової промисловості постачальники, фабрика
